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鉭摻氮化硼靶材(Ta-BN)

鉭摻氮化硼靶材(Ta-BN)
  • 鉭摻氮化硼靶材(Ta-BN)
鉭摻氮化硼靶材(Ta-BN)根基信息
份子包青天论坛免费资料大全式Ta-BN
純度99.9%
CAS號
摩爾質量
密度
熔點
沸點
消融性(水)

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高純鉭濺射靶材普遍運用於電子信息産品制作業中,鉭可作為集成電路中銅與矽基板的阻隔層材料,以避免銅與矽分散生成銅矽郃金影響電路機能,采取鉭靶材經過物理氣相堆積技術濺射鉭到矽片上。攙雜的氮化硼薄膜具有、介電常數小、寄生電容小、任務溫度高、抗高能粒子輻射、耐侵蝕等長處,且材料的擊穿電壓較高,使得器件更合適在低溫、強輻射等卑劣情況下穩固任務。

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